High Extinction Ration Polarization Independent EA Modulator  

高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)

作　　者：孙洋[1] 王圩[1] 陈娓兮[1] 刘国利[1] 周帆[1] 朱洪亮[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1374-1376,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：An electro absorption modulator is fabricated for optical network system.The strained InGaAs/InAlAs MQW shows improved modulation properties,including polarization independent,high extinction ratio (>40dB) and low capacitance (<0 5pF),with which,an ultra high frequency(>10GHz) can be obtained.用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)

关 键 词：electro  absorption MODULATOR polarization independence 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]