高能Ar^+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光  

Electrical Properties and Photoluminescence of P-CdZnTe Irradiated by High-Energy Ar^+

作　　者：裴慧元[1] 李向阳[1] 方家熊[1] 侯明东[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院近代物理研究所,兰州730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1392-1396,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国防预研基金(批准号 :11.3.2 );国家自然科学基金(批准号 :1980 5 0 14 )资助项目~~

摘　　要：采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P型 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 。Ar + with energy of 2GeV and fluences of 10 10 -10 13 cm -2 are used to irradiate P Cd 0.96 Zn 0.04 Te.The measurement of electrical properties and photoluminescence is carried out on the samples,which are nonirradiated and exposed to various ion flences,respectively.The densities of the acceptor type defects and scattering centers are elevated after the irradiation,which result in the increase in the carrier (hole) concentration and decrease in carrier mobility,respectively.With the ion fluence increasing,the carrier mobility decreases faster than carrier concentration increases.Therefore,the material resistance increases greatly.

关 键 词：CDZNTE 电学特性 光致发光 Ar^+辐照 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]