闪锌矿GaN(001)表面的电子结构  

Electronic Structures of Zinc-Blende GaN (001) Surface

作　　者：蔡端俊[1] 冯夏[1] 朱梓忠[1] 康俊勇[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1397-1400,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划 ( 86 3-715 -0 10 -0 0 2 2 );国家自然科学基金( 6 9976 0 2 3);福建省自然科学基金( A0 0 2 0 0 1)资助项目~~

摘　　要：采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外 。The electronic structures of zinc blende GaN (001)(1×1) surface are studied by employing an ab initio 'mixed basis + norm conserving non local pseudopotential' method.Atomic partial densities of states,charge density distributions,and surface band structures are calculated and analyzed on both Ga terminated surface and N terminated surface.The results show that the properties on Ga terminated (001) surface is more stable than those on the N terminated.Both Ga and N terminated (1×1) surfaces are metallic.The properties of atoms in a sub surface atomic layer are also discussed.

关 键 词：电子结构 GaN(001) 闪锌矿 半导体材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]