MSM光探测器的直流特性  

DC Characteristics of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector

作　　者：武术[1] 林世鸣[1] 刘文楷[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1462-1467,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~

摘　　要：在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下 ,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解 .本文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程 ,并将这一结果应用于具体的 In Ga As MSM光探测器的直流等效电路模型上 。The 1 D DC circuit level model of a metal semiconductor metal photodetector is built and presented,whose photocurrents are analysized by using the steady state continuity equations.The analytical solutions of the carrier density and the photocurrent are derived.The quantum efficiency (the number of electron hole pairs generated per incident photon) is calculated and the model is simulated by using PSPICE.The results are in good agreement with the experiment data.

关 键 词：MSM光探测器 直流 等效电路 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]