40GHz铌酸锂电光调制器  

40 GHz LiNbO_3 Electro-optic Modulators

作　　者：张兵[1] 吴伯瑜[1] 周伟勤[1] 宋琼[1] 易鸿[1] 彭吉虎[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《光电子．激光》2001年第11期1199-1201,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 697770 0 6)

摘　　要：本文遵循减小损耗的思路 ,提出了复合电极的结构 ,设计制做了这种电极结构的调制器并进行了分析。实验测得微波传输损耗系数α0 <0 .3 d B/ [cm ( GHz) 1 /2 ],在 2 9～ 3 8GHz内相对调制指数变化约3 .5 dTo decrease the microwave propagation loss,the complex electrodes are designed and discussed by using the finite element method (FEM).The modulators are fabricated and measured.The attenuation coefficient α 0 is less than 0.3 dB/[cm(GHz) 1/2 ].The relative modulation index changes about 3.5 dB at the wave band from 29 GHz to 38 GHz.

关 键 词：铌酸锂 复合电极 微波损耗 电光调制器 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]