Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜和取向研究  

The Investigation of Growth of Sol-Gel V_2O_5 Films

作　　者：袁宁一[1] 李金华[1] 林成鲁[2] 

机构地区：[1]江苏石油化工学院功能材料实验室,江苏常州213016 [2]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《江苏石油化工学院学报》2001年第4期1-3,共3页Journal of Jiangsu Institute of Petrochemical Technology

基　　金：中科院上海冶金所离子束开放实验室资助

摘　　要：采用溶胶 -凝胶法在SiO2 /Si衬底上沉积V2 O5薄膜 ,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶 ,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理 ,得到以〈0 0 1〉向为主取向的高取向薄膜 ,从理论上解释了V2 O5薄膜的取向机理 。Highly orientated <001> V 2O 5 thin film was formed by Sol-Gel method on SiO 2/Si substrate. To prepare V 2O 5 film on SiO 2/Si substrate, the substrate was boiled in the solution of NH 3∶H 2O 2∶H 2O=3∶3∶10 for hydrophilic treatment. The different orientation of vanadium oxide films grown by Sol-Gel, evaporation and Pulsed Laser Deposition (PLD) methods was compared.

关 键 词：溶胶-凝胶法 V2O5薄膜 结晶取向 氧化钒 衬底 沉积 硅 热蒸发 

分 类 号：TB43[一般工业技术] O484[理学—固体物理]