离子束混合沉积C-SiC涂层的阻氢特性研究  

A Study on Relationship Between the Morphology of C-SiC Coatings and Their Hydeogen Resistance

作　　者：杨斌[1] 熊器[1] 刘耀光[1] 雷家荣[1] 汪德志[1] 黄宁康[1] 

机构地区：[1]四川大学原子核科学技术研究所.教育部辐射物理及技术重点实验室,成都610064

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2002年第1期65-68,共4页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：中国工程物理研究院科研基金

摘　　要：对离子束混合技术制备的C SiC阻氢涂层进行了SEM形貌观察 ,比较了在相同组分的C SiC靶材下采用不同的Ar+ 离子轰击剂量 ,在相同的Ar+ 离子轰击剂量下采用不同组分的C SiC靶材所制备涂层的表面形貌特征 ,并由二次离子质谱 (SIMS)分析了C SiC涂层的阻氢性能 .结果表明 ,所制备C SiC涂层的表面形貌与靶材组分以及Ar+ 离子轰击剂量有关 ,不同的形貌特征对涂层的阻氢性能影响不同 .The morphology observation for the C SiC coatings prepared by ion beam mixing was carried out. Comparison between the samples with different Ar + bombardment doses or different target materials is made. Hydrogen profiles for C SiC coatings and substrate were analyzed by SIMS. The results show that the morphology of the deposited C SiC coatings depends on the composition of the specimens and doses of Ar + bombardment. The effect of morphology of the C SiC coatings on hydrogen resistance is discussed.

关 键 词：C-SiC 离子束混合技术 表面形貌 阻氢性能 碳-碳化硅涂层 聂击剂量 金属表达保护 

分 类 号：TG174.45[金属学及工艺—金属表面处理]