电子和离子输运支配状态下的输运垒  

作　　者：K.Lackner 平平 

出　　处：《国外核聚变》2001年第5期58-67,共10页

摘　　要：通过在等离子体边缘（H模式）或在等离子体的内部区域形成局域输运垒（ITB），在多数情形下继续进行除普通L模式外的约束改变，对上述 情况的标准解释是剪切E×B旋转层的形成猝灭了通常占优的湍流，关于内输运垒，在两种完全不同的情形下观察到上述现象：以离子或电子加热为主，Tc明显低于或高于Ti.然而，与堆相关的状态是一种Tc和Ti几乎相等的状态，ECRH的可用性（C及在较小程度上LH或FW加热的可用性）能以可控的方式研究Tc/Ti比的效应，离子温度梯度和捕获电子模驱动的湍流的标准输运模型预测（对于有明显离子加热的情形）Tc/Ti比的上升有负效应，然而，实验结果表明，在某些情形下能避免约束变差，如果考虑到沙弗拉诺夫漂移的同时增加（这可能完全改变理论预言）那么这些观察就能与理论预言相符。

关 键 词：约束改善 输运垒 H模式垒 电子温度 离子温度 托卡马克装置 离子加热 电子加热 等离子体 电子输运 离子输运 

分 类 号：TL612.1[核科学技术—核技术及应用] TL631.24