Modeling and Parameter Extraction of VDMOSFET  

VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)

作　　者：赖柯吉[1] 张莉[1] 田立林[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第3期251-256,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：A sub circuit model for VDMOS is built according to its physical structure.Parameters and formulas describing the device are also derived from this model.Comparing to former results,this model avoids too many technical parameters and simplify the sub circuit efficiently.As a result of numeric computation,this simple model with clear physical conception demonstrates excellent agreements between measured and modeled response (DC error within 5%,AC error within 10%).Such a model is now available for circuit simulation and parameter extraction.从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化 .在参数提取软件中的加载结果表明 ,该模型结构简单 ,运算速度快 ,物理概念清晰 ,拟合曲线与测试数据符合精度高 (直流误差 5 %以内 ,交流误差10 %以内 ) 。

关 键 词：vertical double  diffused MOSFET parameter extraction sub  circuit model JFET effect 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]