HoYb:YVO_4的上转换发光研究  

The upconversion luminescence research of HoYb:YVO_4

作　　者：陈晓波[1] 刘凯[1] 庄健[2] 王国文[3] 陈创天[2] 

机构地区：[1]北京师范大学光学中心 [2]中国科学院福建物质结构研究所,福州350001 [3]北京大学物理系,北京100871

出　　处：《物理学报》2002年第3期690-695,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :198740 33);中国科学院物理研究所光物理开放实验室基金;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室基金资助的课题~~

摘　　要：研究了 96 0nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb :YVO4的直接上转换增敏发光 ,发现了Ho3 +离子的上转换发光现象 ,HoYb :YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强 ,而5S2 →5I8相对小了一个数量级 ,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的 .This paper studies the direct upconversion sensitization luminescence of the Ho 3+ and Yb 3+ ion codoped HoYb:YVO 4 crystal excited by 960nm laser-diode initially. The interesting upconversion luminescence phenomenon has been found. The most strong upconversion luminescence line of the HoYb:YVO 4 crystal is 5F 5→ 5I 8 transition, and that of 5S 2→ 5I 8 is ten times smaller relatively. It resulted from the fact that HoYb:YVO 4 crystal has both strong oscillation strength and multiphonon nonraditive relaxation rate.

关 键 词：激光器 HoYb:YVO4晶体 上转换发光 直接增敏 钒酸钇晶体 Ho^3+离子 铁(Ⅲ) 振子强度 多声子无辐射驰豫 镱掺杂 钬掺杂 

分 类 号：TN241[电子电信—物理电子学]