[N_2]_2-N_2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性  

作　　者：申作春[1] 鲁建业[1] 高惠德[1] 马祖光[1] A.H.Hamdani 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨150001 [2]H.No1447,Street No 41Sector I-10/2,Islamabad Pakistan

出　　处：《中国科学（A辑）》2002年第4期330-336,共7页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:69678006)

摘　　要：理论上通过从头算法计算与理论分析证明存在D2h群对称性的[N2]2即N2分子二聚物,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2g→a1B3u. 理论计算获得的a1B2g→a1B3u跃迁的发射谱与实验观测到的结果很好地吻合. 利用微波激励高纯氮和放大自发辐射法研究了N2分子二聚物的受激辐射特性,实验研究结果表明,当微波功率大于100 W,充入N2气压在260～2200 Pa范围内N2分子二聚物在336.21 nm处存在受激辐射特性.

关 键 词：从头算 势能曲线 类准分子 振子强度 增益 对称群构型 [N2]2 N2分子二聚物 发射谱 受激辐射特性 

分 类 号：O561.3[理学—原子与分子物理]