自旋相关的电子隧穿和自旋极化  

Spin-dependent tunneling and susceptibility of electron

作　　者：花修坤[1] 李振亚[1] 

机构地区：[1]苏州大学物理系,江苏苏州215006

出　　处：《大学物理》2002年第4期15-17,共3页College Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (197740 42 )

摘　　要：研究了电子的自旋相关的隧穿和极化 .在外加磁场的作用下 ,自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数 .当电子的自旋方向与磁场方向相反时 ,其隧穿概率受到磁场的抑制而变小 ;反之 ,当两者平行时 ,电子的隧穿系数增大 .这种差异可以用本文中定义的自旋极化率来表示 .本文对不同磁场下的自旋极化率进行了计算 ,结果也表明当电子的动能较小时 ,这种自旋极化的效应越显著 .The electron spin dependent tunneling and susceptibility are studied.The tunneling coefficients of electrons with spin up and spin down are different when a magnetic field is applied.Magnetic field suppresses the tunneling probability of the electrons whose spin direction is against the magnetic field,yet increases the tunneling coefficient of the electron whose spin direction parallels the applied magnetic field. It is shown that the spin susceptibility is higher for the electrons with lower kinetic energy.

关 键 词：极化率 量子力学 自旋相关 电子隧穿 自旋极化 

分 类 号：O46[理学—电子物理学] O413.1[理学—物理]