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作 者:柳厚田[1] 张新华[1] 杨炯[1] 杨春晓[1] 周伟舫[1]
机构地区:[1]复旦大学化学系,上海200433
出 处:《化学学报》2002年第4期643-646,共4页Acta Chimica Sinica
基 金:国家自然科学基金 (Nos.2 98730 13;2 0 1730 13)资助项目
摘 要:应用电化学阻抗频谱法、线性电位扫描法和光电流技术研究了在 4.5mol·dm-3 H2 SO4 溶液中Pb 1%(at.)Ce(简称Pb 1Ce)合金在 0 .9V (vs .Hg/Hg2 SO4 电极 )生长的阳极Pb(Ⅱ )氧化物膜的电阻较纯铅的低的原因 .实验结果表明 ,Ce阻抑阳极Pb(Ⅱ )氧化物膜的生长并增加其孔率 ,从而降低其电阻 .The anodic Pb(Ⅱ) oxides film formed on Pb-1%(at.)Ce and Pb electrodes at 0.9 V (vs. Hg/Hg 2SO 4 electrode) in 4.5 mol·dm -3 H 2SO 4 solution were studied using the electrochemical impedance spectroscopy, linear sweep voltammetry and photocurrent method. The experimental results show that the addition of cerium into lead metal inhibits the growth of the anodic Pb(Ⅱ) oxides film and reduces its resistance. The lowering of the resistance may be mainly due to the larger porosity of the film grown on the Pb-Ce alloy.
关 键 词:铅铈合金 阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜 电阻 电化学阻抗频谱法 线性电位扫描法 光电流技术 铅酸蓄电池 正极栅板 腐蚀
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