L^3He温度下碲镉汞量子输运特性  

MAGNETO-QUANTUM TRANSPORT PROPERTIES OF Hg_(1-x)Cd_xTe AT L^3He TEMPERATURE

作　　者：郑国珍[1] 屈敏飞 郭少令[1] 陈建湘[1] 宋祥生 汤定元[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室

出　　处：《红外研究》1989年第2期139-144,共6页

摘　　要：在0.3～4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.The magnetic-field-induoed metal-insulator transition of N-Hg_(1-x)Cd_xTe at L^3He temperature is reported. Anisotropio activation of the longitudinal and transverse resistances is observed at low fields. The anomalous behaviors in the 'Hall dip' region are discussed.

关 键 词：半导体 碲 汞 镉 量子输送特性 氦 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]