适应下一代器件用的强流离子注入机“IP—2500”  

作　　者：宇佐见康继 小池英已 田村丰一郎 仲田义广 吴明华[1] 

机构地区：[1]日本日立制作所

出　　处：《微细加工技术》1991年第3期80-86,共7页Microfabrication Technology

摘　　要：一般都认为现在批量生产的4M DRAM是主要推动技术发展的存储器,它加快了16MDRAM,64MDRAM半微米之后的器件开发,随着器件的高集成化的发展,对强流离子注入机的依赖性越发高,而且还必须适应严格的工艺要求,特别是随着器件的微细化,浅结技术已是离子注入工艺的关键工艺,为此,开发了BF_2^+低能注入和Si^+、Ge^+的预非晶技术等,另外,对MOS工艺中α射线控制、双极型工艺中隐埋层集电极形成等高能中的工艺要求也不少,而且,在器件批量生产时为了实现高成品率,对装置的净化要求也很强烈,正在由以前控制圆片异物的时代向控制束纯度、真空质量的时代转变,即由“量”到“质”的转变。

关 键 词：离子注入机 强流离子 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]