激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能  

Growth and Characterization of c-Or ient LiNbO_3 Filmson Si(100) by Pulse Laser Deposition

作　　者：黄靖云[1] 叶志镇[1] 汪雷[1] 叶龙飞[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第5期488-491,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金重大研究规划资助项目 (编号 :90 10 10 0 9)~~

摘　　要：采用激光脉冲沉积 ( PL D)法在 Si( 10 0 )衬底上生长得到了完全 c轴择优取向的 L i Nb O3( L N)薄膜 ,X射线衍射分析表明 L N( 0 0 6)衍射峰的半峰宽为 0 .3 5°.利用棱镜耦合器 ,激光可以被耦合到 L N薄膜中 ,形成 TE和 TM模式的光波导 .测得 L N薄膜的折射率 n0 为 2 .2 85 ,薄膜的厚度为 0 .199μm.Fully c-orient LiNbO_3 (LN) films are grown o n Si(100) or SiO_2 substrate by pulse laser deposition (PLD),and the full width at half maximum of the LN (006) diffraction is only 0.35° by X-ray diffracti on.Laser can be coupled into the LN film by prism coupler and the TE or TM mode optical waveguide is formed.By this method,the refractive index n_0 (2.285 ) and thickness (0.199μm) of the film are determined.

关 键 词：光波导 铌酸锂薄膜 激光脉冲沉积法 铁电材料 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]