a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析  被引量:8

Analysis of Design for a-SiC/c-Si Heterojunction Solar Cells

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作  者:林鸿生[1] 段开敏[1] 马雷[1] 

机构地区:[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出  处:《Journal of Semiconductors》2002年第5期492-498,共7页半导体学报(英文版)

基  金:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :698760 2 4)~~

摘  要:通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ( a- Si C∶ H)薄膜和在 pn异质结嵌入 i( a- Si∶ H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si C/ c-A computer simulation model of _SiC/c-Si heter oj unction solar cells at thermodynamic equilibrium using a Scharfetter-Gummel sol ution of Poissons equation is developed.The energy band structure and distributi on of electric field in _SiC/c-Si heterojunction are analyzed in detail.From results,the collection and transport of photo-generated carriers are increased effectively due to the designs of thinner p +(_SiC∶H) layer and the insertio n of an i(_Si∶H) buffer thin layer into the heterojunction.Such a design also improves the performances of _SiC/c-Si heterojunction solar cells.In case of prolonged light soaking,the simulation shows that _SiC/c-Si heterojunction s tructure solar cell possesses high light stability.

关 键 词:异质结 太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC:H隙态密度分布 载流子收集 

分 类 号:TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]

 

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