测量溶液晶体生长速率用的光学外差干涉技术  

作　　者：YongkeeKin 唐永滋 

出　　处：《云光技术》2002年第1期32-39,共8页

摘　　要：非接触性光学外差技术可原地测量溶液中的晶体生长速率。采用波长为633nm，总输出功率为1mW（每个偏振分量为0.5mW)的双频率塞曼激光器，该激光器具有两个彼此共线而又正交偏振的频率v1和v2，它们准确相融250kHz。，系统的灵敏度确定为0.77nm ,比0.065nm的理论分辨率大，因为存在着与振动相关的噪声。针对监视溶液晶体生长的外差技术的关键因素进行的研究表明，当溶液温度为28.2℃，晶种温度为26.0℃时，L精氨酸磷酸盐晶体的生和速率为6.15±0.13nm/s(0.53mm/天）。这是运用外差技术进行实时、原地测量晶体生长速率的首次实验。

关 键 词：晶体生长速率 光学外差技术 相位变化 L-精氨酸磷酸盐 溶液晶体生长 

分 类 号：O782.1[理学—晶体学]