阈上电离过程中光电子角分布的精细结构  

Fine Structures in Angular Distribution of Above-Threshold Ionization

作　　者：张敬涛[1] 张文琦[1] 徐至展[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放研究实验室,上海201800

出　　处：《光学学报》2002年第5期513-516,共4页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (6 0 10 80 0 2 );重点基础研究专项经费资助课题

摘　　要：应用非微扰散射理论并考虑自发辐射 ,研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响 ,电子的角分布具有精细结构 ,成功地解释了Nandor等人的实验观测。Using the nonperturbative scattering theory developed for multiphoton ionization with the inclusion of spontaneous emission, the angular differential rates for above-threshold ionization (ATI) are obtained. Besides the main lobe structure, our numerical calculations reproduce the fine structures in the angular distribution of ATI peaks observed by Nandor et al.. The fine structures are attributed to the spontaneous emissions when the photoelectron exits the laser field.

关 键 词：光电子 阈上电离 角分布 精细结构 自发辐射 激光 物质 相互作用 

分 类 号：O432.1[机械工程—光学工程] O437[理学—光学]