利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功  

Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy

作　　者：孙建平[1] 张兆祥[1] 侯士敏[1] 张耿民[1] 赵兴钰[1] 刘惟敏[1] 薛增泉[1] 

机构地区：[1]北京大学电子学系,北京100871

出　　处：《电子学报》2002年第5期655-657,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (No 69890 2 2 1 ;69971 0 0 3);教育部科学技术研究重点项目基金 (No .0 0 0 0 5)

摘　　要：在 1× 10 -6～ 10 -5Pa环境压强下 ,经过高温退火处理 ,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜 ,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像 ;对碳化钨薄膜的场发射I V特性及Fowler Nordheim曲线进行测量和计算 ;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子 β ,利用Fowler Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为 3 79eV .Under pressure of 1×10 -6 ～10 -5 Pa,a thin film of tungsten carbide is formed on the surface of tungsten tip of field emission microscopy after certain annealing treatment.Typical field emission patterns of tungsten carbide thin film is observed,and its I V behavior and Fowler Nordheim plot is measured.Using transmission electron microscopy ,we measure the curvature radius of emission tip,and estimate the ratio factor β with an empirical formula,then calculate the work function φ of tungsten carbide thin film to be 3 79eV according to Fowler Nordheim formula.

关 键 词：场发射显微镜 测算 碳化钨薄膜 逸出功 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN304.055[理学—物理]