高场作用下有机单层器件的复合发光  

作　　者：杨盛谊[1] 徐征[1] 王振家[1] 侯延冰[1] 徐叙瑢[1] 张希清[1] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所信息存储,显示与材料部级开放实验室,北京100044

出　　处：《中国科学（E辑）》2002年第2期191-197,共7页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:29992530;19974002);北方交通大学攀登计划基金资助项目

摘　　要：考虑载流子经过体材料内部所受限制对Fowler-Nordheim隧穿电流密度的影响,建立了高电场下有机单层器件的复合发光模型,并求出了复合电流密度和复合效率以及电导率的数学表达式,很好地解释了电场强度对迁移率和复合区域的调制作用.载流子的平衡注入以及复合区域的尽可能靠近器件中部以减少漏电流,都是提高器件发光效率的重要条件.只有当电压增大到某一数值时,由于注入的载流子多于器件实际输运载流子的能力,才会出现空间电荷限制电流.

关 键 词：有机单层器件 复合发光 有机电致发光 界面势垒 空间电荷限制电流 电场强度 复合电流密度 电导率 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]