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作 者:彭子龙[1,2] 李佐宜[1] 胡强[3] 杨晓非[1]
机构地区:[1]华中科技大学电子科学与技术系 [2]中国科学院物理研究所凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室,北京100080 [3]中国科学院物理研究所凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室
出 处:《无机材料学报》2002年第2期321-325,共5页Journal of Inorganic Materials
基 金:中国科学院基金(KJ951-Al-401);国家自然科学基金(198990310)
摘 要:研究了以非磁性(Ni0.81Fe0.19)0.66CR0.34薄膜作为过诞层的坡莫合金Ni0.81Fe0.19薄膜的磁电阻效应和饱和磁场,分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应,并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理,计算结果符合实验.The anisotropic magnetoresistance (AMR) and saturation magnetic field of the Permalloy thin films (Ni0.81Fe0.19) sputtered on a nonmagnetic (Ni0.81Fe0.19)(0.66)Cr-0.34 buffer layer were measured. The AMR variations of the films after annealing and the size effect of the AMR stripes after etching were emphatically studied, and a qualitative analysis was proposed through a statistic model. The simulation results agree with the experiments.
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