高T_c磁通变换器制取工艺研究  

作　　者：吴燧华 陈贞国 吴晓祖[1] 郑会玲[1] 周廉[1] 张平祥[1] 叶永才[1] 纪平[1] 

机构地区：[1]西北有色金属研究院

出　　处：《稀有金属材料与工程》1991年第1期60-63,共4页Rare Metal Materials and Engineering

摘　　要：本文介绍了为绕制高T_c磁通变换器用的Ag基BPSCCO复合线的制备工艺。这种超导复合线采用银包套经型辊轧制、中间热处理、拉拔等工艺加工成Φ1.0mm的复合线,再经800—850℃/20—80h热处理,J_c最佳值为960A/cm^2.用此种Bi系超导线成功地绕制了数个磁通变换器。对Ag-BPSCCO复合线的临界电流密度J_c与弯曲变形的关系进行了测定,用SEM和X射线衍射对组织结构进行了观测和分析。同时介绍了为绕制磁通变换器所需要解决的几个问题。

关 键 词：磁通变换器 Ag基BPSCCO 超导回路 

分 类 号：TM263[一般工业技术—材料科学与工程]