用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜  

A Low-Loss Interlayer--Thick Layers of Porous Silicon and Oxidized Porous Silicon for Application to the Microwave/RF-IC

作　　者：龙永福[1,2] 朱自强[1] 赖宗声[1] 忻佩胜[1] 石艳玲[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子系 [2]2常德师范学院物理系,常德415000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第6期609-613,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :698760 12 ) ;国家杰出青年基金 (批准号 :6992 5 40 9) ;国家重点基础研究规划 (973 ) (批准号 :G19990 3 3 10 5 );上海市科技发展基金资助项目

摘　　要：提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)The use of a thick layer of porous silicon (PS)/oxidized porous silicon(OPS) is proposed as a low loss interlayer for passive elements in the monolithic microwave integrated circuit.The formation of the PS/OPS thick layers about 70μm on low resistivity Si is studied,which is expected to increase the substrate resistivity and reduce its effective dielectric loss under the microwave operation.A significant improved microwave performance on low R Si substrates is demonstrated by measuring the microwave characteristics of coplanar waveguides fabricated on the Si substrates with thick OPS.

关 键 词：集成电路 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]