MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析  

Analysis on response properties of MISiC schottky diode gas sensors

作　　者：钟德刚[1] 徐静平[1] 黎沛涛[2] 于军[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系 [2]香港大学电机电子工程系

出　　处：《华中科技大学学报（自然科学版）》2002年第3期89-91,共3页Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition)

基　　金：湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8);香港大学"TheinternalawardforCASmembership"资助项目

摘　　要：分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .The sensitive mechanisms of gas sensors with a structure of metal insulator silicon carbide (MISiC) Schottky diode are analyzed. A physical model for the device is developed by combining thermal electron emission theory with tunnel theory. The simulated results indicate that the response characteristic is related to metal electrodes, insulator thickness, gas absorbed efficiency and temperature. These results exactly agree with the experiment results. It is found that the optimum thickness of insulator (SiO 2) is around 1?nm

关 键 词：MISiC 肖特基二极管式气体传感器 响应特性 敏感机理 金属-绝缘体-碳化硅结构 I-V特性 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN311.7[自动化与计算机技术—控制科学与工程]