量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究  

Study on Kinks in P-I Characteristic Curves of Semiconductor Quantum-well Stripe Geometry Lasers

作　　者：邹德恕[1] 廉鹏[1] 徐晨[1] 崔碧峰[1] 杜金玉[1] 张丽[1] 刘莹[1] 李建军[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,北京光电子技术实验室北京100022

出　　处：《光电子．激光》2002年第6期547-549,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金重大资助项目 (69892 60 -0 6);国家"973"资助项目 (G2 0 0 0 683 -0 2 )

摘　　要：小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。It was discovered that P-I characteristic curve of the narrow stripe semiconductor lasers appear the kinks. This effect will negatively affect the coupling between laser and fiber. We found that the kinks are related to the laser structures. The kinks have been avoided from optimizing the longitudinal structure, adopting narrow active region and using C as p dopant for the lasers operating at the 50 mW with 100 mA injection.

关 键 词：半导体激光器 P-I特性曲线 扭折 量子阱 阈值电流 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]