退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响  

Effect of Annealing Temperature on the Properties of PZT Thin Film Capacitors

作　　者：蒋力立[1] 唐新桂[2] 丁爱丽[2] 

机构地区：[1]广东工业大学应用物理系,广东广州510090 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《电子元件与材料》2002年第4期3-5,共3页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59995520)

摘　　要：通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.Lead zriconate titante (PZT) ferroelectric thin films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a simple sol-gel process, without reflux or high temperature distillation to remove water. PZT films were annealed at various temperatures from 550 to 650℃ in oxygen atmosphere by a rapid thermal annealing (RTA), the highly (111)-oriented perovskite PZT thin film was obtained. The results show that PZT film annealed at 600℃ has good ferroelectric and dielectric properties.

关 键 词：锆钛酸铅薄膜 溶胶-凝胶法 退火温度 铁电特性 介电特性 

分 类 号：TN304.9[电子电信—物理电子学] TM53[电气工程—电器]