具有铌化合物薄膜硅微尘FEA的场发射性能  

作　　者：季旭东[1] 

机构地区：[1]华东电子集团公司，南京210028

出　　处：《光电技术》2002年第2期46-49,共4页

摘　　要：本文对在硅微尖FEA上制备铌化合物薄膜，并以该类膜改进硅微尖的场发射性能做了说明。

关 键 词：铌化合物 薄膜硅 FEA 场发射性能 硅化铌 氮化铌 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]