硫酸根离子敏感半导体器件的研究  

Study on the Sensitive Semiconductor Device of Sulfate Radical Ion

作　　者：黄西朝[1] 

机构地区：[1]渭南师范学院化学传感器研究室,陕西渭南714000

出　　处：《微电子技术》2002年第3期24-26,共3页Microelectronic Technology

基　　金：陕西省教育厅专项基金资助项目 (0 0JK12 8)

摘　　要：本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。The Sensitive semiconductor device based on NaTPB ion sensitivity is introduced in the paper.The linear responsible range of concentration is 1 0×10 -1 -1 0×10 -3 mol/L,with a slope of 32mV/decade(at13℃),at PH value of 4 2-4 6?The lower detection limit is 6 0×10 -4 mol/L.

关 键 词：离子敏感场效应晶体管 NaTPB 硫酸根 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]