多孔硅的形成与理论分析  

ON FORMATION MECHANISMS OF POROUS SILICON

作　　者：王清涛[1] 李清山[1] 董艳锋[1] 冀会辉[1] 

机构地区：[1]曲阜师范大学物理系,山东省曲阜市273165

出　　处：《曲阜师范大学学报（自然科学版）》2002年第3期57-58,76,共3页Journal of Qufu Normal University(Natural Science)

基　　金：山东省自然科学基金资助 (Y98A10 0 13 )

摘　　要：综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和In this paper, the formation mechanisms of porous silicon are introduced and discussed. The authors believe porous silicon made of n _Si has different formation mechanism from that of p _Si.

关 键 词：多孔硅 空间电荷层 形成机制 Beale耦合模型 扩散限制模型 阳极氧化 量子限制模型 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]