K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究  

作　　者：徐亚伯[1] 刘凤琴[2] 

机构地区：[1]浙江大学物理系,杭州310027 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039

出　　处：《高能物理与核物理》2001年第B12期33-38,共6页High Energy Physics and Nuclear Physics

摘　　要：在190K，220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时，能够观察到导带有规律的色散，并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近，导带的许多子峰消失，色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合，并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释，即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子（约占40%）的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同，对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。

关 键 词：K3C60 取向相变 同步辐射光电子谱 取向结构 电子结构 碳60分子 晶体结构 晶格 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学] O766[理学—化学]