φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量  

The measurement ofφ60mm×600μm silicon PIN detector γ sensitivity and time respond

作　　者：胡孟春[1] 叶文英[2] 周殿忠[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所 [2]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

出　　处：《核电子学与探测技术》2002年第4期338-340,共3页Nuclear Electronics & Detection Technology

基　　金：中国工程物理研究院 J0 9专项课题资助

摘　　要：φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表明 :该类探测器的 60 Coγ灵敏度约为 5 f C·cm2 / Me V。脉冲响应上升时间约为 10 ns,脉冲响应半高宽约为 35 ns。mm×600μm silicon PIN detector is a large area and high sensitive one which has been developed in near years .We have measured their γ sensitivity and the time response. The experiment and theoretical calculated results in: 60Co γ sensitivity is about 5 fC·cm 2/MeV, the rise time is about 10ns and the half-high-width time is about 35ns.

关 键 词：硅PNI探测器 Γ灵敏度 时间响应 测量 半导体探测器 钴60 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]