1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现  

Implementation of 1.8GHz LNA in 0.35mm CMOS

作　　者：马晓民[1] 王文骐[1] 

机构地区：[1]上海大学通信学院通信与信息工程系,上海200072

出　　处：《半导体技术》2002年第8期46-49,57,共5页Semiconductor Technology

基　　金：上海市科委PCD专项基金计划资助(017015030)

摘　　要：介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。This paper presents the implementation of 1.8GHz LNA in TSMC 0.35mm CMOS.The gain is 25dB,noise figure is 2.56dB,power consumption is less than or equal to 10mW,IIP3 is -25dB or 5dBm.Key words: low noise amplifier;CMOS;spiral inductor

关 键 词：低噪声放大器 CMOS 螺旋电感 语言通信 LNA 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]