单轴晶体内非常光线与入射光线在法线同侧的条件  

作　　者：潘波[1] 曹国荣[1] 

机构地区：[1]江苏镇江师范专科学校

出　　处：《高等函授学报（自然科学版）》2001年第3期28-30,共3页Journal of Higher Correspondence Education(Natural Sciences)

摘　　要：本文利用惠更斯原理和单轴晶体内的波面图 ,导出了单轴晶体界面上折射非常光和入射光在法线同侧的条件 ,用曲线表示出折射非常光和入射光在法线同侧时光轴取向与入射角之间的关系。求出了方解石晶体中e光和入射光在法线同侧时的最大入射角为 9.9°。

关 键 词：单轴晶体 非常光线 入射光线 法线 入射角 惠更斯原理 同侧条件 折射 

分 类 号：O734.2[理学—晶体学]