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机构地区:[1]楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南楚雄675000 [2]云南师范大学可再生能源教育部重点实验室,云南昆明650092
出 处:《电源技术》2014年第7期1390-1393,共4页Chinese Journal of Power Sources
基 金:国家自然科学基金资助项目(10864001);楚雄师范学院科学研究基金重点资助项目(10YJZD05)
摘 要:Cu2ZnSnS4(CZTS)材料属Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族四元化合物,原料在地壳中储量丰富、价格便宜、无毒、具有良好的光电性能。CZTS一般呈P型导电性,直接带隙为1.5 eV,与太阳辐射匹配性好,在可见光范围内的光学吸收系数大于104cm-1,非常适合作为太阳电池的吸收层材料,有望取代CIGS成为下一代高效化合物薄膜太阳电池的典范。结合最新研究进展综述了CZTS薄膜材料的不同制备方法及合成机理,并讨论了目前CZTS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。The Cu2ZnSnS4 (CZTS) material belongs to Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4 quaternary compound; it's nontoxic and abundant in the Earth, and its cost is low. The CZTS thin films exhibit p-type conductivity, a direct band gap of 1.5 eV, good matching with solar radiation and high optical absorption of 10^4 cm^-1 in the range of visible light, which is suitable for absorbing layer materials of solar cell and has the promise to replace CIGS and to be the example of next generation of high efficiency compound thin film solar cell. The different preparation methods and synthesis mechanism of CZTS materials with reference to the latest research progress were described. The existing problems and development trends of CZTS solar cell were presented.
分 类 号:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
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