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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
出 处:《微电子学》2014年第3期329-331,335,共4页Microelectronics
基 金:国家自然科学基金重大项目(60990320;60990323);国家自然科学基金面上项目(61271090);国家高技术研究发展计划重大项目(2012AA012305);四川省科技支撑计划项目(2012GZ0101)
摘 要:针对降压型DC-DC转换器集成度不断提升这一发展趋势,设计了一个集成化的低端整流管驱动方案。该方案利用死区时间来控制对低端整流管栅极的充电和放电。充电过程分为两个阶段,并且绝大部分充电电流直接取自转换器的电源输入端,大大降低了对内部稳压器的要求。采用0.5μm BCD工艺,仿真结果显示在无外挂电容的情况下,相比传统驱动方案,采用本文所提出的驱动电路能大大降低内部电源瞬间下坠量,提高芯片可靠性。An integrated driver design of low-side switch MOSFET(LS)is proposed for the integration rate continually promotes of buck DC-DC converters.This method uses dead-time to control the charging and discharging of LS gate.The charging process is divided into two stages,and most of charging current is from the power input of the converters,so it greatly reduces the requirements for internal regulator.Based on 0.5μm BCD process and without external capacitor,the simulation results show that compared to the traditional integrated drivers,the proposed method greatly reduces the dropout of internal power supply and improves the chip reliability.
分 类 号:TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]
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