一种功率增益可控的全集成CMOS功率放大器  

A Fully Integrated CMOS Power Amplifier with Controllable Power Gain

作　　者：许晓冬[1,2] 杨海钢[1] 高同强[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所,北京100190 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《微电子学》2014年第3期336-339,343,共5页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61106025);国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(2012AA012301)

摘　　要：设计了一种单片全集成、输出功率增益可变的CMOS功率放大器电路。功率放大器电路输出级通过电容分压实现阻抗匹配,输出功率增益通过三位数字控制位实现七级增益控制。该功率放大器基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。测试结果表明,当功率放大器工作在2.4GHz时,功率增益可以从2.5dB变化到16dB。当增益为16dB时,功率叠加效率约为15%,输出1dB功率为8dBm。整个功率放大器芯片尺寸为1.2mm×1.2mm。A fully integrated CMOS power amplifier with controllable power gain is presented.The capacitive voltage divider is used as output matching network.The output power gain is controlled by three bits digital controlling cell which can perform seven stage change of power.The power amplifier is designed in SMIC 0.18μm CMOS process.The test results show that power gain can be varied from 2.5dB to 16dB operating at 2.4GHz.The power added efficiency can reach 15% when the power gain is around 16dB and P1dBis about 10dBm.The total chip size of power amplifier is 1.2mm×1.2mm.

关 键 词：CMOS功率放大器 输出增益可变 电容分压 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]