温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP_2晶体  

Investigation on the 2 μm Low Absorption ZnGeP_2 Crystal Grown by Temperature Gradient Solution Zone Method

作　　者：倪友保[1] 吴海信[1] 黄昌保[1] 程旭东[1] 王振友[1] 肖瑞春[1] 

机构地区：[1]中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥230031

出　　处：《人工晶体学报》2014年第6期1367-1370,1386,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(No.51202250)

摘　　要：针对高温熔体生长的ZnGeP2（ZGP）晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度（945℃左右）生长出20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16~0.3 cm-1之间。但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究。Aiming at the problem of ZGP crystal＇s wide optical absorption band under high temperature melt growth methods,the seed aided temperature gradient solution zone（SA-TGSZ） has been studied in detail.Through exploring appropriate flux,suitable growth parameter,boule size of ZGP crystal with 20mm in diameter and 30 mm in length was prepared under low temperature（945 ℃）,the untreated crystal＇s absorption coefficient was about 0.16-0.3 cm-1nearby 2 μm.But now how to improve the crystal＇s optical homogeneity,crystalline quality,and increase the ZGP＇s raw material utilization ratio are still need further study.

关 键 词：ZGP晶体 籽晶温度梯度区域熔炼法 吸收系数 

分 类 号：O78[理学—晶体学]