双层非等宽Armchair石墨纳米带的电子性质研究  

作　　者：李昭宁[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院流体物理研究所113室,四川绵阳621999

出　　处：《高能量密度物理》2013年第4期169-174,共6页High Energy Density Physics

摘　　要：制备所得的多层石墨纳米带各层可能具有不同的带宽。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了非等宽双层Armchair石墨纳米带的电子性质。计算了体系总能和能隙随层间距的变换关系，并从静电势、前沿分子轨道布据等方面分析了该变化的物理机制。研究表明：体系的总能、能隙和电子态密度显著依赖于石墨纳米带的带宽、层间距和堆叠方式等；该双层体系的最佳层间距为0．328nm，而该体系能隙最小时的层间距为0．260nm，两者并不一致。

关 键 词：电子结构 石墨纳米带 第一性原理 

分 类 号：O641.121[理学—物理化学]