TMAH硅湿法刻蚀剂中异丙醇与氧化剂的协同作用  

Synergistic Effect of Isopropyl Alcohol and Oxidant in Silicon Wet Etching with TMAH Etchant

作　　者：陈东[1,2] 刘诗斌[1] 梁晋涛[3] 

机构地区：[1]西北工业大学电子信息学院,陕西西安710072 [2]西安邮电大学电子工程学院,陕西西安710121 [3]桂林电子科技大学环境与生命科学学院,广西桂林541004

出　　处：《广西师范大学学报（自然科学版）》2014年第2期55-59,共5页Journal of Guangxi Normal University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60874101)

摘　　要：四甲基氢氧化铵(TMAH)是一种在微机电系统加工中常用的硅湿法刻蚀剂。在对含有铝结构表面的硅器件进行湿法刻蚀时,需要在TMAH溶液中添加一定量的硅酸和氧化剂,以保护器件表面的金属铝,但这会降低硅表面的光洁度。本文在含硅酸的TMAH溶液中同时添加过硫酸铵和异丙醇2种物质,研究其对TMAH刻蚀作用的影响。研究结果表明,2种物质的协同作用能够显著提高硅刻蚀表面的光洁度。Tetramethyl ammonium hydroxide （TMAH） is a kind of silicon wet etchants frequently usedin Micro-electromechanical Systems （MEMS）. When etching a silicon device with aluminum structure onits surface, for protecting the aluminum structure, a quantity of silicic acid and oxidant are added intothe TMAH solution, but doing so will result in the decline of surface smoothness. In this paper, twokinds of substance, isopropyl alcohol （IPA） and ammonium persulfate （AP） are simultaneously addedinto the TMAH solution in which silicic acid is resolved beforehand, and the effect on the etching per-formance of TMAH is studied. Result of the research reveals, the synergistic effect of IPA and AP canimprove the smoothness of silicon etching surface remarkably.

关 键 词：四甲基氢氧化铵 硅湿法刻蚀 过硫酸铵 异丙醇 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]