适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器  

Fast Pre-charge Sense Amplifier for Low-Voltage Flash Memory

作　　者：黄鹏[1] 王源[1] 杜刚[1] 张钢刚[1] 康晋锋[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室,北京100871

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期600-604,共5页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助

摘　　要：提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模块,从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善,65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明,相比传统结构,新结构预充速度提高15%,功耗降低14%。A new flash sense amplifier （SA） is presented, which has a fast pre-charge speed, low power and low supply voltage. Compared to the conventional low-voltage SA, the novel amplifier uses two inverters to improve pre-charge speed by feedback-control pre-charge circuit and to reduce power consumption by taking place of the current source module in reference voltage generation circuit, respectively. In 65 nm CMOS process, the pre- charge time of novel circuit is improved above 15%, and the power dissipation is lowered about 14%.

关 键 词：快闪存储器 灵敏放大器 低压 预充 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]