一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化  

An Optimization of Triple Diffusion Process for MCT with High di/dt

作　　者：孙瑞泽[1,2] 陈万军[1,2] 彭朝飞 阮建新[1,2] 张波[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 [2]东莞电子科技大学电子信息工程研究院,广东东莞523808

出　　处：《电子与封装》2014年第7期29-33,共5页Electronics & Packaging

基　　金：国家科技重大专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)

摘　　要：传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。As there are contradictions among the adjustment of well concentrations and device performances,in the paper,an optimization of triple diffusion process for MCT with high di/dt is proposed,which can realize MCTs with high current ability and low threshold voltages.Meanwhile,the fabricated MCTs show a 15% rise in di/dt rate,a 33% reduction in maximum temperature and a 36% rise in heat runaway speed in pulsed power discharge.

关 键 词：三重扩散 栅控晶闸管 电流上升率 脉冲放电 

分 类 号：TN386.2[电子电信—物理电子学]