飞思卡尔凭借第二代Airfast功率放大器解决方案扩大RF技术的优势  

作　　者：周鑫[1] 

机构地区：[1]飞思卡尔半导体(中国)有限公司

出　　处：《单片机与嵌入式系统应用》2014年第8期82-83,共2页Microcontrollers & Embedded Systems

摘　　要：RF功率行业的解决方案供应商飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备（包括GSM／UMTS、CDMA／W－CDMA、LTE和TD－LTE应用）提供了全新级别的性能。飞思卡尔最新的Airfast系列RF功率解决方案基于成功且具备卓越性能的上一代产品，包含了28V独立和单级功率放大器。在充分利用并增强了第一代Airfast电路、模具、匹配网络和封装技术的基础上，飞思卡尔凭借新一代Airfast技术（包括推出的RF功率LDMOS部件，从而在Doherty配置中提高50％的效率）实现了业内的又一里程碑。此外，第二代Airfast功率放大器还扩展了其产品组合以包括两级集成式电路，从而将多个增益级合并到一个封装中；并添加了全新的基于氮化镓（GaN）的服务和48VLDMOS工艺技术。

关 键 词：功率放大器 飞思卡尔 RF技术 第二代 W-CDMA RF功率 优势 DMOS工艺 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]