1.03 μm波长激发电光晶体的太赫兹响应  

作　　者：罗从文[1] 赵振宇[1] 石旺舟[1] 陈之战[1] 

机构地区：[1]上海师范大学物理系,上海200234

出　　处：《科学通报》2014年第20期1949-1954,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(61307130);国家重点基础研究发展计划(2012CB326402);上海市教委创新项目(14YZ077);上海师范大学创兴团队项目(DXL121);上海师范大学高端人才科研启动基金(A-3501-13-002006)资助

摘　　要：理论研究了掺镱飞秒激光激发<110>晶向的电光晶体太赫兹(THz)的产生与探测,根据相位匹配条件,在声子共振频率以下分别计算了厚度为0.1 mm的CdTe,GaP,GaAs三种晶体的光学色散与THz波段色散关系、THz波段的吸收频谱、相干长度以及THz发射与探测频谱.结果表明,CdTe的THz最佳发射频率为2.65 THz,而对于GaAs和GaP,THz最佳发射频率分别达到6.56和4.77 THz.通过计算晶体的THz响应函数,发现对于0.1 mm厚的CdTe晶体,其截止频率仅为3.45THz,而同样厚度GaP和GaAs截止频率则拓展到6.37和7.15 THz.通过引入THz吸收系数计算上述材料在THz电光采样中的灵敏度,发现当晶体厚度小于1.58 mm时,CdTe的THz采样灵敏度高于GaP和GaAs.当晶体厚度进一步增大时,GaAs的THz采样灵敏度超过CdTe和GaP.

关 键 词：THz频谱 光学整流 电光采样 相干长度 灵敏度 

分 类 号：O436[机械工程—光学工程]