SrTiO_3薄膜电致电阻调制机理的研究进展  

Research Progress on Resistive Switching Mechanisms of SrTiO_3 Thin Films

作　　者：王少敏[1] 相文峰[1] 赵昆[1] 赵嵩卿[1] 

机构地区：[1]中国石油大学(北京)理学院,北京102249

出　　处：《材料导报》2014年第15期142-146,共5页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(11004251);北京市自然科学基金(4142047);北京高等学校青年英才计划

摘　　要：对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍;并对目前公认的3种调制机理:氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、位错网络模型进行了详细讨论;指出几种机理可能共存于电致电阻调制过程的不同阶段,找到其中的主导机制将是未来研究的关键。The resistance switching behaviors and resistance tematically reviewed. Three resistance switching mechanisms： the switching mechanisms of the SrTi（）：~ films are sys electromigration of oxygen vacancies, the opening and closing of resonant electron tunneling paths, and the local modulations of the oxygen content basing on dislocation networks, are introduced. One or more resistance switching mechanisms possibly co exist In the different stages of re- sistance switching process. Therefore, it is the key issue for future research to find the dominant mechanism of resis- tance switching.

关 键 词：电致电阻效应 钛酸锶(STO) 调制机制 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程] TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构]