L波段高功率放大器的设计  

作　　者：张二剑[1] 屈鹏成 

机构地区：[1]陕西凌云电器集团有限公司计量处

出　　处：《电子世界》2014年第16期446-446,共1页Electronics World

摘　　要：随着微波功率晶体管制造技术的飞速发展,金属氧化物半导体场效应管和砷化嫁场效应管的性能不断完善,为全固态发射机和功率放大器的设计提供了有力的保障。本文介绍了一种利用金属氧化物半导体场效应管实现L波段高功率放大器的设计方案,重点描叙了各级电路的实现方法,并对L波段宽带高功率放大器在设计中遇到的问题进行了分析。

关 键 词：功率合成 LDMOS功率管 全固态发射机 

分 类 号：TN934.3[电子电信—信号与信息处理]