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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘丹露[1] 徐丹[1] 肖仁贵[1,2] 王建中 邹腾[1]
机构地区:[1]贵州大学化学与化工学院,贵州贵阳550025 [2]江苏中联科技集团,江苏南通226361
出 处:《电子元件与材料》2014年第9期34-37,共4页Electronic Components And Materials
基 金:江苏省科技支撑计划(工业)资助项目(No.BE2012095);贵州大学引进人才基金资助项目;贵州大学研究生创新基金资助项目
摘 要:通过在硫酸一盐酸混合电解质中加入硝酸,研究了在直流脉冲电蚀铝箔的过程中,硝酸介质对电蚀电流密度的影响。结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,直流脉冲的峰值电流密度需大于0.8A·cm^-2。才能在铝箔表面生成隧道孔,但在加入0.2~0.3mol/L硝酸后可将生成隧道孔所需的电流密度降至0.3A·cm^-2。在3mol/L硫酸及1mol/L盐酸的混合溶液实验条件下,电解质中适宜的硝酸浓度为0.2mol/L。The effects of current density after adding nitric acid into H2SO4-HCI system during DC impulse etching of aluminum foil were discussed. The results show that the tunnels can be formed while controlling DC impulse current density above 0.8A·cm^-2 in H2SO4-HCI electrolyte system. It's obviously that the current density can be lower to 0.3A·cm^-2 by adding nitric acid at the concentration of 0.2-0.3 mol/L. Under the condition of mixed solution of 3 mol/L H2SO4 and 1 mol/L HCI, the proper concentration of nitric acid is 0.2 mol/L.
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