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机构地区:[1]西南交通大学微电子研究所,四川成都610031
出 处:《电子元件与材料》2014年第9期58-61,共4页Electronic Components And Materials
基 金:国家自然科学基金资助项目(No.61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大资助项目(No.2012AA012305)
摘 要:基于UMC 0.25μm BCD工艺,设计了一种带二阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个与热力学温度的平方成正比的电流叠加到基准的核心部分,达到二阶曲率补偿的效果。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,–40^+150℃内,基准电压的波动范围为1.213 4~1.215 3 V,温度系数为1×10–5V/℃;供电电压在2.5~5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率LR为0.006 95%,低频时电路电源抑制比为–70 dB,整体静态电流仅为20.1μA。Based on UMC 0.25 p.m BCD process, a low temperature drift bandgap reference with second order curvature compensation was designed. The prototype was implemented with traditional amplifier clamping. With a current proportional to the square of thermodynamic temperature added to the core of the reference, the second order curvature compensation was achieved. Simulation results show that under the power supply voltage of 4.5 V, and over the temperature range of-40 ℃ to 150 ℃, the output reference voltage ranges from 1.213 4 V to 1.215 3 V, with a temperature coefficient about 1 × 10-5 V/℃; When the power supply voltage changes within the range of 2.5 V to 5.0 V, LR of VREF is 0.006 95%, with a low frequency power supply rejection ratio of-70 dB, whole quiescent current is only 20. 1 μA.
关 键 词:带隙基准源 低功耗 曲率补偿 高精度 低温漂 线性调整率
分 类 号:TM930.2[电气工程—电力电子与电力传动]
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