采用顶部籽晶熔融辅助熔渗法制备高性能单畴GdBCO超导块材  

Fabrication of high performance single domain GdBCO bulk superconductor by TSMT-IG process

作　　者：王妙[1] 杨万民[1] 杨芃涛 冯忠岭[1] 李佳伟[1] 王明梓[1] 张龙娟[1] 

机构地区：[1]陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西710062

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2014年第9期907-912,共6页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：教育部科学技术研究重大项目(编号:311033);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20120202110003);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:GK201101001;GK201305014;GK201004009);陕西师范大学优秀博士论文项目(编号:X2011YB08;X2012YB05);国家自然科学基金(批准号:51342001;51167016)资助项目

摘　　要：在顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)的基础上,本文采用熔融织构生长(MTG)辅助法制备高性能大尺寸单畴GdBCO超导块材,并且对样品的生长形貌、晶体界面生长结构、磁悬浮力以及捕获磁通进行了研究分析.研究结果表明,采用顶部籽晶熔融辅助熔渗生长工艺可以有效地提高NdBCO籽晶的利用率,抑制样品在生长过程中产生随机成核现象,从而大大地提高制备单畴样品的有效率.此外,用新的生长工艺还有助于提高GdBCO样品的性能.In this paper, high performance and large single domain GdBCO bulk superconductors have been successfully fabricated by the top-seeded-melt-texture-infiltration-growth process （TSMT-IG）. The effect of the growth morphology, growth interface, the magnetic levitation force and trapped flux of single domain GdBCO bulk superconductors has been investigated. The above result indicates that, the utilization of NdBCO seed crystal and the production efficiency of the single domain GdBCO bulk superconductor can be effectively improved by the new TSMT-IG process, which can inhibit the random nucleation phenomenon at some extent during the process of crystal growth. In addition, the application of new technology also helps to improve the growth performance of GdBCO samples.

关 键 词：顶部籽晶熔融辅助熔渗法(TSMT-IG) 单畴GdBCO超导块材 装配方式 磁悬浮力 捕获磁通 

分 类 号：O511.3[一般工业技术—材料科学与工程]