在Si(111)面上外延生长的OsSi_2电子结构的研究  

作　　者：李旭珍[1] 刘丙金 张明杰[1] 

机构地区：[1]杨凌职业技术学院信息工程学院,陕西咸阳712100

出　　处：《科技风》2014年第15期5-5,20,共2页

摘　　要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为OsSi2(101)//Si(111),取向关系为OsSi2[010]//Si<011>的OsSi2平衡体系及附近各点的电子结构进行了理论计算。计算结果表明:当1.005nm≤a≤1.030时,且带隙值随着晶格常数a取值的增大而减小。当a取值为10.20时,体系处于稳定状态,此时OsSi2是具有带隙值为0.628eV的间接带隙半导体。

关 键 词：OsSi2 外延第一性原理电子结构 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学]